台积电首次提及1.4nm工艺技术-2nm工艺按计划2025年量产

台积电首次提及1.4nm工艺技术，2nm工艺按计划2025年量产!台积电正在研发1.4纳米和2纳米级工艺制程，预计将在2027-2028年问世。A14可能采用GAAFET技术，N2和A14的节点需要协同优化。尚不清楚台积电是否采用High-NA EUV光刻技术，但他们致力于下一代生产节点的研发。

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台积电在最近的IEEE国际电子器件会议(IEDM)的小组研讨会上透露，他们正在全面展开1.4纳米级工艺制程的研发。与此同时，台积电也再次确认，2纳米级制程将按计划于2025年开始量产。

根据SemiAnalysis的Dylan Patel给出的幻灯片，台积电的1.4纳米制程节点正式名称为A14。小编注意到，目前台积电尚未透露A14的量产时间和具体参数，但考虑到N2节点计划于2025年底量产，N2P节点则定于2026年底量产，因此预计A14节点将在2027-2028年问世。

在技术方面，A14节点不太可能采用垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)技术，不过台积电仍在探索这项技术。因此，A14可能将像N2节点一样，依赖于台积电第二代或第三代环绕栅极场效应晶体管(GAAFET)技术。

N2和A14等节点将需要系统级协同优化，才能真正发挥作用，并实现新的性能、功耗和功能水平。

尚不清楚台积电是否计划在2027-2028年时间段为A14制程采用High-NA EUV光刻技术，考虑到届时英特尔(以及可能其他芯片制造商)将采用和完善下一代数值孔径为0.55的EUV光刻机，台积电使用这些机器应该相当容易。然而，由于高数值孔径EUV光刻技术将掩膜尺寸减半，其使用将给芯片设计人员和制造商带来一些额外的挑战。

当然，从现在到2027-2028年，很多事情都可能会发生变化，因此不能做出太多的假设。但可以肯定的是，台积电的科学家和开发人员正在致力于下一代生产节点的研发。