苹果iPhone16Pro系列1TB机型或采用QLC闪存-读写速度更慢

消息称苹果iPhone16Pro系列1TB机型或采用QLC闪存，读写速度更慢。为了降低成本，iPhone 16 Pro系列机型可能采用读写速度较慢的QLC NAND闪存，以支持更高的存储容量。预计128GB、256GB和512GB存储的新款iPhone仍将采用TLC NAND闪存。QLC NAND虽存在缺点，但其使用量依然在增长。

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据DigiTimes报道，为了降低成本，配备1TB存储的iPhone 16 Pro系列机型可能会采用读写速度更慢的QLC NAND闪存。另外，OPPO也在考虑实施类似的策略。

小编注意到，目前苹果在iPhone上使用的是价格更昂贵的TLC NAND闪存。QLC闪存的优势在于可以在更小的空间中塞入更多存储，并且成本更低，但缺点是读写速度较慢，而且耐久性和可靠性也低于TLC闪存。当然，苹果可以通过特定的优化措施来减轻这些问题。

报道还称，采用QLC闪存可能会让首次推出2TB存储的iPhone成为可能，目前iPhone 15 Pro Max的最高存储容量为1TB。

预计配备128GB、256GB和512GB存储的新款iPhone在可预见的未来仍将坚持使用TLC NAND闪存。虽然TLC闪存仍然是行业主流，但预计从2023年下半年到2024年上半年，QLC NAND将占所有NAND出货量的约20%，可见尽管存在缺点，其使用量仍在增长。